第三代晶闸管模块，性能优且稳，国际领先。

·单向导电性指标，“漏电流”只及标准的1/200且长期稳定。

·高级DBC底板使模块工作寿命指标，承受冷热冲击次数至少高过标准10倍（氧化铝DBC底板为5倍）。      

·散热能力最强，同等条件温升最低，避免快速热老化击穿。

·浪涌电流为额定值的19～42倍（标准16倍）。

·电压临界上升率高 dv/dt≥1000v/μs，不易误触发。

·额定电流3～4倍(标准为1倍)时，管压降只有1.2～1.7V。

·配上瞬态衰减器，可承受4KV脉冲群、浪涌过电压，避免快速电老化击穿，耐压无须超过1600V。

它以前太贵，工艺新突破使工业级产品的价格降到与国产可控硅模块差不多，便于普及应用。

模块内含有二个晶闸管芯；通用电连接型式，代号为C，见下图。1、2、3为功率端，配有不锈钢螺钉，可作为一个整流臂，用于直流电路；也可把2、3短接成一个端，1为另一端，构成“反并联”连接，用于交流电路。5、6端分别为对应的晶闸管的门极控制端，可用电线锡焊后引出。

整流器、充电器、变流器、无功补偿节电器、交流调压器、固态开关等。

市面上的晶闸管模块绝大多数是第一代产品，3mm 厚的铜底板沉甸甸的。铜板、陶瓷层、硅芯片三层材料热膨胀系数相差很大，冷热冲击使层间开裂损坏，属淘汰产品。

  第二代晶闸管模块采用氧化铝DBC（Direct Bonding Copper）底板，由0.3mm薄铜皮与氧化铝（白色）键合成一体难以开裂，见图2。但是氧化铝的热膨胀系数与硅芯片相差还不够小，二者之间还会微裂。

第三代晶闸管模块采用高级DBC底板，见图3，由0.3mm薄铜皮与高级陶瓷层（白色）键合而成一体难以开裂。而且高级陶瓷层与硅芯片的热膨胀系数相接近，也不易开裂。福建省电子产品监督检测所测试证实：产品耐用性指标“承受冷热循环次数”达到JB/T7826-1995（即IEC TC47）标准的10倍以上。模块“工作寿命”难题才得到满意解决。目前国际上只有个别厂家能生产（第三代）长命晶闸管模块。

1、模块额定电流Irms（有效值）应按其I²t选择。一般模块电流 Irms应大于负载额定电流的2～4倍。此外还应考虑启动电流的倍数和启动时间。

      2、外加过电流保护电路可在电流超限时立即停止触发信号，却无法阻止晶闸管继续导通至零电流为止，因为晶闸管是不可关断器件。所以这种保护不完全，晶闸管过电流和短路保护用快速熔断器最可靠。

3、实践证明，380V星形连接应选择1600V的晶闸管，还应加衰减器方可承受4KV瞬态电压，避免晶闸管快速电老化击穿，大大延长工作寿命。衰减器连接在1、2和2、3之间，2～3年更新1次。

1、模块底板与散热器之间的接触面一定要平整、光滑、清洁；如有毛刺、沙砾，可能刺伤底板电击穿。二接触面之间应垫上本公司的绝缘导热垫片（一次性使用）；再用螺钉适度拧紧。

2、外接导线的端头应焊接铜鼻，再用不锈钢螺钉连接铜鼻与模块功率端；接触面之间涂导电膏避免接头过热，有利防腐防氧化。铜鼻最好镀银，连接孔约Ф6，不宜过大。

3、安装尺寸：图1；2；3分别对应型号MTC27、50、60、115；MTC130、180；MTC250、320、500。

                  

八、技术数据表